首页
首页
电气工程
电气规范
电气规范
GB/T 18380.31-2008 电缆和光缆在火焰条件下的燃烧试验 第31部分:垂直安装的成束电线电缆火焰垂直蔓延试验
GB/T 18380的本部分规定了在火焰条件下,单根绝缘细电线电缆或细光缆火焰垂直蔓延试验的设备。
GB/T 18380.22-2008 电缆和光缆在火焰条件下的燃烧试验 第22部分:单根绝缘细电线电缆火焰垂直蔓延试验 扩散
GB/T 18380《电缆和光缆在火焰条件下的燃烧试验》分为11个部分,本部分为GB/T 18380的第22部分。
GB/T 18216.5-2007 交流1000V和直流1500V以下低压配电系统电气安全 第5部分 对地电阻
本标准等同采用IEC 61557-5:1997,规定了低压配电系统中电气安全防护措施之使用交流电压测量对地电阻设备的要求。
GB/T 18216.4-2007 交流1000V和直流1500V以下低压配电系统电气安全 第4部分 接地电阻和等电位接地电阻
本标准等同采用IEC 61557-4:1997,规定了以测量值指示或以极限值指示的测量接地导体、保护接地 导体以及包括连接线和端子在内的等电位连接导体电阻的测量设备的要求。
GB/T 18216.3-2007 交流1000V和直流1500V以下低压配电系统电气安全 第3部分 环路电阻
本标准等同采用IEC 61557-3:1997,规定了低压配电系统安全防护措施的试验、测量或监控设备的环路阻抗
GB/T 18216.1-2000 交流1000V和直流1500V以下低压配电系统电气安全 防护检测的试验、测量或监控设备 第1部分
本标准第1部分规定了标称电压交流1 000 V和直流1 500 V以下低压配电系统中用于电气安全性测量和监控试验设备的通用要求。 2011-08-09
GB/T 17950-2000 半导体变流器 第6部分 使用熔断器保护半导体变流器防止过电流的应用导则
本标准作为应用导则,适用于带有熔断器的半导体变流器,熔断器用来保护构成变流器主臂的半导体。
GB/T 17949.1-2000 接地系统的土壤电阻率、接地阻抗和地面电位测量导则 第1部分 常规测量
本标准的测试方法包括:(1)测量从小型接地棒、接地板到电站大型接地系统等各种接地极的接地电阻和接地阻抗
GB/T 17948.6-2007 旋转电机绝缘结构功能性评定 成型绕组试验规程 绝缘结构热机械耐久性评定
本标准等同采用IEC 60034-18-34:2000,规定了旋转电机成型绕组绝缘结构的热机械耐久性评定的试验规程。
GB/T 17948.5-2007 旋转电机绝缘结构功能性评定成型绕组试验规程多因子功能性评定50MVA、15kV及以下电机绝缘
本标准等同采用IEC 60034-18-33:1995,规定了在热、电均为主要老化因子的情况下旋转电机绝缘结构多因子耐久性评定的试验规程。
GB/T 17948.1-2000 旋转电机绝缘结构功能性评定 散绕绕组试验规程 热评定与分级
本标准规定了交流或直流旋转电机应用的或准备应用的散绕绕组绝缘结构热评定与分级的试验规程 2011-08-09
GB/T 17948-2003 旋转电机绝缘结构功能性评定 总则
本标准规定了应用于或准备应用于旋转电机(在GB 755规定范围内)的电气绝缘结构功能性评定规程及其分级。
GB/T 17886.3-1999 标称电压1kV及以下交流电力系统用非自愈式并联电容器第3部分:内部熔丝
本标准适用于内部熔丝,该内部熔丝用来断开故障的电容器件或电容器单,从而允许该电容器单的其余部分以及接有该电容器单的电容器组继续运行
GB/T 17886.2-1999 标称电压1kV及以下交流电力系统用非自愈式并联电容器 第2部分:老化试验和破坏试验
本标准适用于符合GB/T 17886.1的电容器,并规定了这些电容器老化试验和破坏试验的要求。
GB/T 17886.1-1999 标称电压1kV及以下交流电力系统用非自愈式并联电容器第1部分:总则-性能、试验和定额-
本标准适用于专门用来提高标称电压为1kV及以下、频率为15Hz~60Hz交流电力系统的功率因数的电容器单和电容器组。
GB/T 17574.20-2006 半导体器件 集成电路 第2-20部分:数字集成电路 低压集成电路族规范
本规范的目的是给出低压集成电路不同分组的接口规范,包括电源电压、容差和最坏情况下的输入、输出电压极限值
GB/T 17574.11-2006 半导体器件 集成电路 第2-11部分:数字集成电路 单电源集成电路电可擦可编程只读存储器
本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一,本规范等同采用IEC 60748-2-11:1999《半导体器件 集成电路 第2-11部分
GB/T 17574.10-2003 半导体器件 集成电路 第2-10部分数字集成电路集成电路动态读写存储器空白详细规范
本部分为第10部分,等同采用IEC60748-2-10:1994(QC790107)《半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第10篇:集成电路动态读/写存储器空白详细规范》(英文版)。 2011-08-09
GB/T 17574.9-2006 半导体器件 集成电路 第2-9部分 数字集成电路 紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细
本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一,本规范等同采用国际电工委员会(IEC)标准IEC 60748-2-9:1994
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路
本标准给出了下列各类或各分类器件的标准:——组合和时序数字电路;——存储器集成电路;——微处理器集成电路;——电荷转移器件。
首页
上一页
下一页
尾页