介绍： 本部研发中心主楼为6层，裙楼为2层，均为框架结构，采用天然地基。裙楼下设有一层地下室。 拟建场地位于###高新区工业区##路与滨河路交叉西南侧,属###积平原地貌形态单元。场地东侧围墙外为滨河路，北侧为何山路，西侧为####内河道，南侧为学校教工宿舍。 本工程±0.000=3.65m（黄海标高），室外地面标高为3.2m（黄海），相当于±0.000为-0.45m，一层地下室板顶标高为-3.90m，底板厚300mm；，考虑垫层100mm，所以基坑大面积开挖深度为3.85m。根据周围环境和开挖深度，本基坑为三级基坑。 工程周边环境具体情况如下： 东侧：基坑东侧为滨河路，地下室边线距红线距离约15.00米。 南侧：基坑南侧为拟建6层主楼，本基坑开挖时主楼基础同时施工（1-C轴线上基础待基坑回填后施工），独立基础距开挖边线最近处大约为7.5米。 西侧：西侧为#####内河道，距基坑开挖边线20米。 北侧：基坑北侧为##新区主干道何山路，道路下埋有众多管道、管线，地下室边线距路边约15米。 详见总平面图、基础结构平面图 基坑周边超载规定： 根据本工程的场地条件，周边场地开阔，施工期间主要为加工、生活场所，考虑施工材料堆放及车辆通行，坑边超载都按30KN/m2考虑；基坑开挖期间及地下室施工过程中，坑边超载大于上述假定时，应经设计人员复核确保支护结构安全。
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